开云网页登录口:湖北江城芯片请求半导体结构及其制作办法专利部分研磨液流入榜首开口中使磨料颗粒保留在榜首开口中

来源：开云网页登录口    发布时间：2026-01-20 10:18:30

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  国家知识产权局信息数据显现，湖北江城芯片中试服务有限公司请求一项名为“半导体结构及其制作办法”的专利，揭露号CN121310997A，请求日期为2025年10月。

  专利摘要显现，本揭露施行例供给一种半导体结构及其构成办法，该半导体结构的构成办法有：供给榜首介质层；榜首介质层中构成有多个榜首互连结构；在榜首介质层上构成第二介质层；构成穿过榜首介质层并延伸至第二介质层中的榜首开口；榜首开口坐落沿着榜首方向相邻的榜首互连结构之间；榜首方向与第二方向笔直，第二方向为半导体结构的厚度方向；经过榜首化学机械抛光对第二介质层进行减薄处理；在榜首化学机械抛光的过程中，部分研磨液流入榜首开口中；进行榜首枯燥处理，使研磨液中的磨料颗粒保留在榜首开口中。

  天眼查资料显现，湖北江城芯片中试服务有限公司，成立于2021年，坐落武汉市，是一家以从事研讨和实验开展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。经过天眼查大数据分析，湖北江城芯片中试服务有限公司共对外出资了6家企业，参加招投标项目33次，产业线条，此外企业还具有行政许可9个。

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